В АО «НИИ «Гириконд» в течение последних 50 лет проводятся исследования в области полупроводниковой оптоэлектроники и разработки различных типов фотоэлектрических и оптоэлектронных приборов для широкого спектра электромагнитного оптического излучения.
Основные полупроводниковые материалы, используемые в технологии изготовления оптоэлектронных приборов – это материалы группы А2В6, А4В6 и твердые растворы на их основе.
| Тип | Вольтовая чувствительность в максимуме (при 25°С), В/Вт | Длина волны максимума спектральной чувствительности, мкм | Область спектральной чувствительности, мкм | Время нарастания (спада) общего тока, не более, мкс | Тип корпуса | Интервал рабочих температур, °С |
|---|---|---|---|---|---|---|
Фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) |
||||||
| ФР622 [ФР622Т] | 50000 [200000] | 2.7 [3.0] | 0.9...3.5 [0.9...3.8] | 30 (30) [50 (50)] | КТ-2 | -50..+60 |
| ФЭ722 | 100 (1000К) | 2.7 | 0.9...3.5 | 20 (10) | КТ-2 | -50..+60(+80) |
Полупроводниковые излучатели для ближней и средней ИК-области спектра (2 - 4,5мкм) |
||||||
| АЛ147А | - | 0.805 … 0.815 | - | - | - | - |
| Примечание: В таблице приведены выборочные типономиналы продукции. Подробнее на сайте компании http://www.gz-pulsar.ru | ||||||