• 13003ADGP-TM3-T
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры6.8x2.5x6.3 мм
КорпусTO-251
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер400 В
Напряжение "эмиттер-база"9 В
Напряжение "коллектор-база"400 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1..3 В
Ток коллектора100 мкА
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность1.56 Вт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-251. Безгалогеновое исполнение. 

Ранее просмотренные товары