• 13003CDHG-T92-F-B
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры4.1x1.62x3.25 мм
КорпусTO-92
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер400 В
Напряжение "эмиттер-база"9 В
Напряжение "коллектор-база"900 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 мВ..3 В
Ток коллектора100 мкА
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность1.1 Вт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-92. Безгалогеновое исполнение.