• 2SC3669G-O-AA3-R
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры6.7x1.8x3.7 мм
КорпусSOT-223
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер80 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Напряжение "коллектор-база"80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 мВ..5 В
Коэффициент усиления по току70..140
Граничная частота коэффициента передачи тока100 МГц
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность500 мВт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе SOT-223. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары