| Срок поставки и цена – по запросу |
| Размеры | 6.7x1.8x3.7 мм |
| Корпус | SOT-223 |
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 80 В |
| Напряжение "эмиттер-база" | 5 В |
| Напряжение "коллектор-база" | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 мВ..5 В |
| Коэффициент усиления по току | 70..140 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | 100 МГц |
| Монтаж | SMD |
| Количество выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 500 мВт |
| Температура хранения | -55..150 °С |
Биполярные транзисторы NPN в корпусе SOT-223. Безгалогеновое исполнение.