• 2SC3669G-O-AB3-R
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры4.7x1.7x2.7 мм
КорпусSOT-89
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер80 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Напряжение "коллектор-база"80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 мВ..5 В
Коэффициент усиления по току70..140
Граничная частота коэффициента передачи тока100 МГц
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность500 мВт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе SOT-89. Безгалогеновое исполнение.