• 2SD1060G-Q-T60-K
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры7.8x2.7x10.8 мм
КорпусTO-126
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер50 В
Напряжение "эмиттер-база"6 В
Напряжение "коллектор-база"60 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 мВ
Коэффициент усиления по току70..140
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность1 Вт
Температура хранения-40..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-126. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары