• 2SD1857G-P-TM3-T
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры6.5x2.3x5.5 мм
КорпусTO-251
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер120 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Напряжение "коллектор-база"120 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 мВ
Коэффициент усиления по току82..180
Граничная частота коэффициента передачи тока80 МГц
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность2 Вт
Температура хранения-40..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-251. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары