• 2SD667G-B-T9N-K
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры4.7x1.7x2.7 мм
Корпус TO-92NL
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер80 В
Напряжение "эмиттер-база"6 В
Напряжение "коллектор-база"120 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 мВ
Коэффициент усиления по току60..120
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность900 мВт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-92NL. Безгалогеновое исполнение.