• 2SD882SG-Q-AA3-R
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры6.7x1.8x3.7 мм
КорпусSOT-223
Тип транзистораNPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер30 В
Напряжение "эмиттер-база"7 В
Напряжение "коллектор-база"40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 мВ
Коэффициент усиления по току100..200
МонтажSMD
Количество выводов3
Рассеиваемая мощность1 Вт
Температура хранения-55..150 °С
Показать остальные свойства..

Биполярные транзисторы NPN в корпусе SOT-223. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары