• BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
  • BSP75N
Срок поставки и цена – по запросу
Размеры6.5x3.5x1.6 мм
Норма упаковкиКатушка: 4000 шт.
КорпусSOT-223
Тип по расположению ключейНижний ключ
Тип входаПрямой
Время включения10 мкс
Время выключения10 мкс
Потребляемая мощность1.8 Вт
Энергия рассеивания0.55 Дж
Сопротивление открытого ключа550 мОм
Номинальный ток700 мА
Макс. рабочий ток (DC)1 А
Напряжение питания1.8..2.5 В
Изоляция4 кВ
Рабочая температура-40..150 °С
Температура хранения-55..150 °С
Вес0.23 г
Показать остальные свойства..

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions. | Summary of Features: Logic Level Input; Input Protection (ESD); Thermal shutdown with auto restart; Green product (RoHS compliant); Overload protection; Short circuit protection; Overvoltage protection; Current limitation; Analog driving possible | | Target Applications: 24V Applications; Relay driver

Аналоги

С этим товаром покупают также