| Срок поставки и цена – по запросу |
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line package. The FOD817 Series consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 4-pin dual in-line package.
| case_package | DIP |
| lead_free_status | Lead Free |
| rise_time | 4.00 µs |
| mounting_style | Through Hole |
| isolation_voltage | 5.00 kV |
| packaging | Bulk |
| input_voltage_dc | 1.20 V |
| number_of_circuits | 1 |
| input_current | 50.0 mA |
| lifecycle_status | Active |
| output_voltage | 70.0 V (max) |
| rohs_status | Compliant |
| pin_count | 4 |
| number_of_channels | 1 |
Аналоги
Ранее просмотренные товары
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
9 369,99 ₽
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу
цена по запросу