• TIP112G-T60-K
Срок поставки и цена – по запросу
Норма упаковкипакет
Размеры8.38x11.43x3.04 мм
Тип корпусаTO-126
Тип транзистораNPN
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер100 В
Напряжение "коллектор-база"100 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Температура хранения-65..150 °С
Рассеиваемая мощность10 Вт
Напряжение пробоя100 В
Показать остальные свойства..

Составной транзистор (схема Дарлингтона) NPN в корпусе TO-126. Безгалогеновое исполнение.