• TIP112G-TA3-T
Срок поставки и цена – по запросу
Норма упаковкилинейка
Размеры10.6x15.87x4.8 мм
Тип корпусаTO-220
Тип транзистораNPN
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер100 В
Напряжение "коллектор-база"100 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Температура хранения-65..150 °С
Рассеиваемая мощность40 Вт
Напряжение пробоя100 В
Показать остальные свойства..

Составной транзистор (схема Дарлингтона) NPN в корпусе TO-220. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары