• TIP112G-TN3-R
Срок поставки и цена – по запросу
Норма упаковкикатушка
Размеры6.7x7.3x2.65 мм
Тип корпусаTO-252
Тип транзистораNPN
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер100 В
Напряжение "коллектор-база"100 В
Напряжение "эмиттер-база"5 В
Температура хранения-65..150 °С
Рассеиваемая мощность15 Вт
Напряжение пробоя100 В
Показать остальные свойства..

Составной транзистор (схема Дарлингтона) NPN в корпусе TO-252. Безгалогеновое исполнение.

Ранее просмотренные товары