
| Срок поставки и цена – по запросу |
Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ
| rkg | 3 2 2 |
| datasheet | https://cdn.promelec.ru/upload/items/2025/11/18/yangjie/pdf/YJS12G10A.pdf |
| photo_url | https://cdn.promelec.ru/upload/items/2025/11/18/yangjie/img/Korpus-SOP-8_500.jpeg |