| Срок поставки и цена – по запросу |
| Размеры | 4.1x1.62x3.25 мм |
| Корпус | TO-92 |
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 100 В |
| Напряжение "эмиттер-база" | 5 В |
| Напряжение "коллектор-база" | 100 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 350 В |
| Коэффициент усиления по току | 50..115 |
| Монтаж | SMD |
| Количество выводов | 3 |
| Рассеиваемая мощность | 850 мВт |
| Рабочая температура | -40..125 °С |
| Температура хранения | -55..150 °С |
Биполярные транзисторы NPN в корпусе TO-92. Безгалогеновое исполнение.